Thyristor-Diode Modules--SIRECTIFIER

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型号 TYPE	电气特性Electrical Characteristics										封装外形 Package Style	Datasheet
	IT			VDRM	ITSM	VTO	rT	dv/dt	TVJM	RthJC
	ITRMS	ITVM @TC		/VRRM	45°C/10ms	VTO	rT	dv/dt	TVJM	per chip
	A	A	°C	V	A	V	mΩ	V/μs	°C	K/W
STD49GK08	76	49	85	800	1150	0.85	5.3	1000	125	0.53	Fig. 36	PDF
STD49GK12	76	49	85	1200	1150	0.85	5.3	1000	125	0.53	Fig. 36	PDF
STD49GK14	76	49	85	1400	1150	0.85	5.3	1000	125	0.53	Fig. 36	PDF
STD49GK16	76	49	85	1600	1150	0.85	5.3	1000	125	0.53	Fig. 36	PDF
STD49GK18	76	49	85	1800	1150	0.85	5.3	1000	125	0.53	Fig. 36	PDF
STD90GK08B	141	90	85	800	1700	0.85	3.2	1000	125	0.3	Fig. 18	PDF
STD90GK12B	141	90	85	1200	1700	0.85	3.2	1000	125	0.3	Fig. 18	PDF
STD90GK14B	141	90	85	1400	1700	0.85	3.2	1000	125	0.3	Fig. 18	PDF
STD90GK16B	141	90	85	1600	1700	0.85	3.2	1000	125	0.3	Fig. 18	PDF
STD90GK18B	141	90	85	1800	1700	0.85	3.2	1000	125	0.3	Fig. 18	PDF
STD100GK08B	157	100	85	800	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD100GK12B	157	100	85	1200	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD100GK14B	157	100	85	1400	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD100GK16B	157	100	85	1600	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD100GK18B	157	100	85	1800	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD100GK20B	157	100	85	2000	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD100GK22B	157	100	85	2200	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
STD116GK08B	180	116	85	800	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
STD116GK12B	180	116	85	1200	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
STD116GK14B	180	116	85	1400	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF

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