Thyristor-Diode Modules--SIRECTIFIER

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型号 TYPE	电气特性Electrical Characteristics										封装外形 Package Style	Datasheet
	IT			VDRM	ITSM	VTO	rT	dv/dt	TVJM	RthJC
	ITRMS	ITVM @TC		/VRRM	45°C/10ms	VTO	rT	dv/dt	TVJM	per chip
	A	A	°C	V	A	V	mΩ	V/μs	°C	K/W
STD116GK18	182	116	85	1800	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 36	PDF
STD130GK08	204	130	85	800	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
STD130GK12	204	130	85	1200	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
STD130GK14	204	130	85	1400	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
STD130GK16	204	130	85	1600	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
STD130GK18	204	130	85	1800	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
STD165GK08	259	165	85	800	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD165GK12	259	165	85	1200	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD165GK14	259	165	85	1400	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD165GK16	259	165	85	1600	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD165GK18	259	165	85	1800	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD165GK20	259	165	85	2000	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD165GK22	259	165	85	2200	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD181GK08	284	181	85	800	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD181GK12	284	181	85	1200	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD181GK14	284	181	85	1400	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD181GK16	284	181	85	1600	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD181GK18	284	181	85	1800	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD200GK08	314	200	85	800	8000	0.95	1.0	1000	125	0.14	Fig. 20	PDF
STD200GK12	314	200	85	1200	8000	0.95	1.0	1000	125	0.14	Fig. 20	PDF

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